[QL94J6SX] 波長：940nm

[QL94J6SX] 波長：940nm

Characteristic

特徴

QL94J6SA/B/C は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長940nmの量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で50mWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 940 nm

Optical Power Output : 50mW CW

Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長： 940nm

出力： 50mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.