QL63D4SX-N 波長 635nm

QL63D4SX-N 波長 635nm

Characteristic

特徴

QL63D4S-A/B/C-Nは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長635nmのInGaAIPレーザ半導体です。
５ｍWの出力を有しオプティカルレベラーとかオプティカルモジュールのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 635 nm
Optical Power Output ： 5mW CW
Package Type : TO-18 (5.6mmφ) without window glass Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
Operating Temperature : -10 ~ +40℃


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長：635 nm

出力：5mW CW

使用温度環境：-10 ~ +40℃

Package Type : TO-18 (5.6mmφ) without window glass

Application

アプリケーション

レーザーポインター、バーコードリーダー、レーザーモジュール等に最適です。